近日，國家第三代半導體技術創新中心(以下簡稱國創中心)在京召開第一屆理事會第一次會議，標志著國創中心正式邁入實際運行階段。

會議審議了國創中心《理事會章程》《建設運行方案》《2022年工作重點及目標》《第三代半導體躍升工程行動計劃(建議稿)》，審議通過了第一屆理事長、副理事長、理事，專家委員會主任、成員，國創中心主任人選。

國創中心由科技部批復同意建設，旨在瞄準國家戰略需求，統籌全國優勢力量，聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用方向，推進各類相關創新主體和創新要素有效協同，輸出高質量科技創新成果，培育發展新動能，推動我國第三代半導體產業創新能力整體躍升。

國創中心已布局深圳、南京、蘇州、湖南、山西、北京等6個區域中心，有效銜接政府支持和企業需求，聯合行業龍頭企業，協同全國50余家科研機構，初步形成了“核心+基地+網絡”的創新格局。目前，國創中心已聚集第三代半導體領域多個院士團隊、50余名行業領軍人才，形成500多人規模的專職團隊。(記者王昊昊)

關鍵詞： 國家第三代半導體技術創新中心邁入實際運行階段 第三代半導體產業創新能力整體躍升 聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用方向 輸出高質量科技創新成果